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索尼氧化物半导体TFT驱动11.7英寸AMOLED面板寿命达10年以上

索尼开发出了驱动元件采用氧化物半导体TFT(TOS(IGZO)TFT)的11.7英寸OLED面板,并在显示器国际会议“SID 2010”上进行了展示。通过降低氧化物半导体TFT的特性劣化,确保了OLED电视要求的10年以上的寿命。

开发品利用的氧化物半导体TFT采用蚀刻阻挡(Etch Stopper)构造,通道材料采用非晶IGZO(In-Ga-Zn-O)。TFT元件的栅宽及栅长分别为22μm和8μm,载流子迁移率为11.5cm2/Vs,阈值电压为0.27V,亚阈值摆幅(Subthreshold swing,S值)为0.3V/decade。

为了降低非晶IGZO TFT的特性劣化,进行了以下三个改进。

第一,源极/漏极由普通的Ti/Al/Ti三层构造改为将非晶IGZO接触的部分变更为Mo的Ti/Al/Mo构造,从而降低了电极的氧化现象。

第二,钝化膜没有采用普通的SiNx和SiOx,而是利用了保护性能较高的Al2O3(通过DC溅射法成膜)。

第三,采用了利用钝化膜、蚀刻阻挡膜以及源漏极将非晶IGZO完全包覆起来的TFT构造。

索尼在AUTHOR INTERVIEWS上公开了11.7英寸的开发品。该产品在索尼位于神奈川县厚木市的研究所内制作而成。像素为960×540。全白亮度为 200cd/m2 ,峰值亮度为600cd/m2以上。对比度为100万比1以上,色彩表现范围按NTSC规格比为100%以上。

OLED元件的元件构造为从TFT底板反侧提取光的顶部发光型。索尼表示,与2007年12月上市的OLED电视“XEL-1”相比,“发光元件采用了色彩表现范围和寿命等特性优异的材料”。

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